型号: | RJK0855DPB-00#J5 | RoHS: | 无铅 / 符合 |
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制造商: | Renesas Electronics America | 描述: | MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK |
详细参数 |
数值 |
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产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
标准包装 | 1 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 80V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 30A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 15A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | - |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 2550pF @ 10V |
功率 - 最大 | 60W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
供应商设备封装 | LFPAK |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | RJK0855DPB-00#J5CT |